生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSOP2-R, |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 80 ns |
其他特性: | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX18 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2-R |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 1.13 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD42S4190ALE-60 | NEC |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 | |
UPD42S4190ALE-70 | NEC |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 | |
UPD42S4190ALE-80 | NEC |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 | |
UPD42S4190ALE-80 | RENESAS |
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256KX18 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 | |
UPD42S4190AV-60 | NEC |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PZIP40, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-40 | |
UPD42S4190AV-60 | RENESAS |
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IC,DRAM,FAST PAGE,256KX18,CMOS,ZIP,40PIN,PLASTIC | |
UPD42S4190AV-70 | NEC |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PZIP40, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-40 | |
UPD42S4190AV-80 | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Page Mode DRAM | |
UPD42S4190G5-70-7JF | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Page Mode DRAM | |
UPD42S4190G5-70-7KF | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Page Mode DRAM |