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UPD42S4190AV-60

更新时间: 2024-01-29 01:38:46
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 644K
描述
Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PZIP40, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-40

UPD42S4190AV-60 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:ZIP,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PZIP-T40
长度:50.98 mm内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:18
功能数量:1端口数量:1
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:11.65 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:ZIG-ZAG
宽度:2.8 mmBase Number Matches:1

UPD42S4190AV-60 数据手册

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