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UPA828TF-KB

更新时间： 2024-02-29 02:26:00

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
20页	92K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA828TF-KB 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.47	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.8 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz

UPA828TF-KB 数据手册

PPA828TF

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I^CBO

Condition

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

Unit

V^CB= 5 V, I^E= 0

V^EB= 1 V, I^C= 0

I^EBO

0.1

h^FE

V^CE= 2 V, I^C= 20 mA^{Note 1}

140

Gain Bandwidth Product (1)

Gain Bandwidth Product (2)

Feedback Capacitance

Insertion Power Gain (1)

Insertion Power Gain (2)

Noise Figure (1)

f^T

V^CE= 2 V, I^C= 20 mA, f = 2 GHz

V^CE= 1 V, I^C= 10 mA, f = 2 GHz

V^CB= 2 V, I^E= 0, f = 1 MHz^{Note 2}

V^CE= 2 V, I^C= 20 mA, f = 2 GHz

V^CE= 1 V, I^C= 10 mA, f = 2 GHz

V^CE= 2 V, I^C= 3 mA, f = 2 GHz

V^CE= 1 V, I^C= 3 mA, f = 2 GHz

GHz

f^T

C^re

0.4

8.5

7.5

1.3

0.8

|S^21e|²

Noise Figure (2)

h^FERatio

h^FE1/h^FE2

V^CE= 2 V, I^C= 20 mA

0.85

h^FE1 = smaller h^FEvalue among Q1 and Q2

h^FE2 = larger h^FEvalue among Q1 and Q2

Notes 1. Pulse measurement P^Wd 350 Ps, Duty cycle d 2%

2. Capacitance between collector and base measured with a capacitance meter (auto-balancing bridge

method). Emitter should be connected to the guard pin of capacitance meter.

hFE CLASSIFICATION

Rank

Marking

h^FEvalue

R86

70 to 140

123 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA828TF-T1	NEC	获取价格	HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-P
UPA828TF-T1KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, MIN
UPA829TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA829TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA829TD	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TSOP
UPA829TD-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M
UPA829TD-T3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TSOP
UPA829TD-T3FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M
UPA829TF	NEC	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA829TF-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, 2 X 1.25 M

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