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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.47 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 3 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UPA828TF-T1 | NEC | HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-P |
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| UPA828TF-T1KB | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, MIN |
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| UPA829TC-FB | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR |
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| UPA829TC-T1FB | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR |
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| UPA829TD | ETC | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
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| UPA829TD-FB | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M |
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