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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA805TKB-A
UPA805TKB-A PDF预览

UPA805TKB-A

更新时间： 2024-02-04 06:20:24
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器晶体管微波
页数 文件大小 规格书
6页 58K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN

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UPA805TKB-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.13最大集电极电流 (IC)：0.01 A
基于收集器的最大容量：0.5 pF集电极-发射极最大电压：6 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：12000 MHz
Base Number Matches：1

UPA805TKB-A 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
µPA805T  
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD  
FEATURES  
PACKAGE DRAWINGS  
•
•
•
Low Noise, High Gain  
(Unit: m m )  
Operable at Low Voltage  
Sm all Feed-back Capacitance  
Cre = 0.3 pF TYP.  
2.1±0.1  
1.25±0.1  
•
Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4958)  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
QUANTITY  
PACKING STYLE  
µPA805T  
Loose products  
(50 PCS)  
Em bossed tape 8 m m wide. Pin 6 (Q1  
Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4 (Q2 Em itter)  
face to perforation side of the tape.  
µPA805T-T1  
Taping products  
(3 KPCS/Reel)  
PIN CONFIGURATION (Top View )  
Rem ark If you require an evaluation sam ple, please contact an NEC  
Sales Representative. (Unit sam ple quantity is 50 pcs.)  
6
5
2
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Q
1
Q
3
2
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
1
Collector to Base Voltage  
Collector to Em itter Voltage  
Em itter to Base Voltage  
Collector Current  
9
6
V
PIN CONNECTIONS  
1. Collector (Q1)  
2. Emitter (Q1)  
2
V
4. Emitter (Q2)  
5. Base (Q2)  
6. Base (Q1)  
10  
m A  
m W  
3. Collector (Q2)  
Total Power Dissipation  
PT  
60 in 1 elem ent  
Note  
120 in 2 elem ents  
J unction Tem perature  
Storage Tem perature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–65 to +150  
Note 110 m W m ust not be exceeded in 1 elem ent.  
This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.  
The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.  
Document No. ID-3639  
(O.D. No. ID-9146)  
Date Published April 1995 P  
Printed in Japan  
1995  
©
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPA805T-T1 NEC

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 		MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI
UPA805T-T1KB NEC

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 		暂无描述
UPA805T-T1KB-A NEC

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 		暂无描述
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UPA806 UTC

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UPA806T NEC

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 		NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA806T RENESAS

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 		MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
UPA806TKB NEC

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 		2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA806T-KB RENESAS

获取价格

 		2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6

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