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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 12.1 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.029 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA2706GR(0)-E1-AT | RENESAS |
获取价格 |
Nch Single Power Mosfet 30V 11A 15Mohm Power Sop8, SOP, /Embossed Tape |
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| UPA2706GR-E1 | RENESAS |
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UPA2706GR-E1 |
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| UPA2706GR-E1-AT | RENESAS |
获取价格 |
Nch Single Power Mosfet 30V 11A 15Mohm Power Sop8, SOP, /Embossed Tape |
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| UPA2706GR-E2 | RENESAS |
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UPA2706GR-E2 |
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| UPA2706GR-E2-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,11A I(D),SO |
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| UPA2706GR-E2-AT | RENESAS |
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Nch Single Power Mosfet 30V 11A 15Mohm Power Sop8, SOP, /Embossed Tape |
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| UPA2706TP | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| UPA2706TP-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| UPA2707GR | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| UPA2707GR-E1 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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