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UPA2706TP-AZ

更新时间： 2024-10-30 21:21:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
7页	148K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, HSOP-8

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UPA2706TP-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	POWER, HSOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	12.1 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.029 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3/e6	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA2706TP-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µ PA2706TP

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

The µ PA2706TP, which has a heat spreader, is N-channel

MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converter

and power management application of notebook computer.

PACKAGE

µ PA2706TP

Power HSOP8

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 5.5 A)

R^DS(on)2= 22.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 5.5 A)

• Low C^iss: Ciss = 660 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

• Small and surface mount package (Power HSOP8)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C, Unless otherwise noted, all terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (DC) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)1

ID(DC)2

ID(pulse)

PT1

±20

±11

±44

150

Drain Current (pulse) ^Note2

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation ^Note1

Channel Temperature

°C

PT2

T^ch

T^stg

IAS

Storage Temperature

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

E^AS

12.1

Notes 1. Mounted on glass epoxy board of 1 inch x 1 inch x 0.8 mm, PW = 10 sec

2. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

3. Starting T^ch= 25°C, VDD = 15 V, RG = 25 Ω, L = 100 µH, VGS = 20 → 0 V

Caution Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and

ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity

as much as possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. G16621EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published January 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

2003

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA2707GR	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2707GR-E1	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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UPA2707GR-E2	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2707GR-E2-A	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2707TP	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2707TP-E1	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2707TP-E1	RENESAS	获取价格	42A, 30V, 0.0056ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER HSOP-8
UPA2707TP-E1-AZ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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