Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> UPA2707TP-E1

UPA2707TP-E1

更新时间： 2024-02-21 22:05:35

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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UPA2707TP-E1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	POWER HSOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	36 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.0056 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	76 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA2707TP-E1 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µ PA2707TP

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The µ PA2707TP which has a heat spreader is N-

channel MOS Field Effect Transistor designed for

DC/DC converter and power management applications

of notebook computer.

PART NUMBER

µ PA2707TP-E1

PACKAGE

Power HSOP8

Note

µ PA2707TP-E1-AZ

µ PA2707TP-E2

FEATURES

µ PA2707TP-E2-AZ

• Low on-state resistance

Note Pb-free (This product does not contain Pb in

R^DS(on)1= 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 9.0 A)

R^DS(on)2= 5.6 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 9.0 A)

• Low C^iss: Ciss = 6600 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

• Small and surface mount package (Power HSOP8)

external electrode.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C, All terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)

Drain Current (DC)

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (TC = 25°C)

Total Power Dissipation ^Note2

Channel Temperature

°C

P^T2

4.3

150

T^ch

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

IAS

E^AS

2. Mounted on glass epoxy board of 1 inch x 1 inch x 0.8 mm, PW =10 sec

3. Starting T^ch= 25°C, VDD = 15 V, RG = 25 Ω, L = 100 µH, VGS = 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Ambient ^Note

R^th(ch-A)

R^th(ch-C)

96.2

3.13

°C/W

Channel to Case

Note Mounted on glass epoxy board of 1 inch x 1 inch x 0.8 mm

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. G17035EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 2005 NS CP(K)

Printed in Japan

2004

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA2707TP-E1-AZ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2707TP-E2	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2707TP-E2	RENESAS	获取价格	42A, 30V, 0.0056ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER HSOP-8
UPA2707TP-E2-AZ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2708GR	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2708GR-E1	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2708GR-E1-A	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2708GR-E2	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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