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UPA2460T1Q-E1-A

更新时间： 2024-10-30 19:49:35

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	228K
描述
6500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, HUSON-8

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UPA2460T1Q-E1-A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	6.5 A	最大漏源导通电阻：	0.0275 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
JESD-609代码：	e4	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA2460T1Q-E1-A 数据手册

Preliminary Data Sheet

R07DS0185EJ0100

Rev.1.00

μ PA2460T1Q

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description

Dec 06, 2010

The μPA2460T1Q is a switching device, which can be driven directly by a 2.5 V power source.

The μPA2460T1Q features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for

applications such as power switch of portable machine and so on.

Features

•

2.5 V drive available

Low on-state resistance

⎯ R_DS(on)1= 17.5 mΩ MAX. (V_GS= 4.5 V, I_D= 3.0 A)

⎯ R_DS(on)2= 18.5 mΩ MAX. (V_GS= 4.0 V, I_D= 3.0 A)

⎯ R_DS(on)3= 22.0 mΩ MAX. (V_GS= 3.1 V, I_D= 3.0 A)

⎯ R_DS(on)4= 27.5 mΩ MAX. (V_GS= 2.5 V, I_D= 3.0 A)

Built-in G-S protection diode against ESD

•

Ordering Information

Part No.

μ PA2460T1Q-E1-AX ^∗

LEAD PLATING

Ni/Pd/Au

PACKING

8 mm embossed taping

3000 p/reel

Package

8-pin HUSON (2720)

Note: ^∗1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode and other parts.)

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

N-CHANNEL

Unit

Drain to Source Voltage (V_GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V_DS= 0 V)

V_GSS

I_D(DC)

I_D(pulse)

P_T1

6.5

Drain Current (DC) ^∗

Drain Current (pulse) ^∗

Total Power Dissipation (2 unit) ^∗

1.0

°C

Channel Temperature

Storage Temperature

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

Notes: ^∗1. Mounted on a glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt

^∗2. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

R07DS0185EJ0100 Rev.1.00

Dec 06, 2010

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA2460T1Q-E1-AX	RENESAS	获取价格	N-Channel Mos Field Effect Transistor For Switching, HUSON, /Embossed Tape
UPA2502	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA2502TM	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA2503	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA2503TM	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA2503TM	RENESAS	获取价格	16A, 30V, 0.0151ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TSSOP-8
UPA2510	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA2510TM	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA2520T1H-T1-AT	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
UPA2520T1H-T2-AT	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

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