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UPA2562T1H-T2-AT

更新时间： 2024-10-30 15:56:03

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	303K
描述
4.5A, 30V, 0.07ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2429, VSOF-8

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UPA2562T1H-T2-AT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, 2429, VSOF-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA2562T1H-T2-AT 数据手册

Preliminary Data Sheet

μ PA2562T1H

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description

R07DS0007EJ0100

Rev.1.00

Jul 08, 2010

The μ PA2562 is Dual N-channel MOSFETs designed for back light inverters and power management applications of

portable equipments. Dual N-channel MOSFETs are assembled in one package, to contribute minimize the equipments.

Features

•

2.5 V drive available

Low on-state resistance

⎯ R_DS(on)1= 55 mΩ MAX. (V_GS= 4.5 V, I_D= 2 A)

⎯ R_DS(on)2= 70 mΩ MAX. (V_GS= 2.5 V, I_D= 2 A)

Package Drawing (Unit: mm)

Equivalent Circuit

2.9 0.1

0.65

0.17 0.05

0 to 0.025

(1/2 Circuit)

0.32 0.05

0.05 M S A

1: Source 2: Gate

7, 8: Drain

4: Gate

3: Source

5, 6: Drain

Ordering Information

Part No.

Lead Plating

Pure Sn

Packing

8 mm Embossed Taping

3000 p/reel

Package

μ PA2562T1H-T1-AT^Note

8-pin VSOF (2429)

μ PA2562T1H-T2-AT^Note

Note: This product does not contain Pb in external electrode and other parts.

Marking: 2562

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D(DC)

I_D(pulse)

P_T1

Ratings

Unit

Drain to Source Voltage (V_GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V_DS= 0 V)

Drain Current (DC)

4.5

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (1 unit, 5s) ^Note2

Total Power Dissipation (2 unit, 5s) ^Note2

Channel Temperature

1.5

°C

P_T2

2.2

T_ch

150

Storage Temperature

T_stg

-55 to + 150

Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%

2. Mounted on FR-4 board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt

R07DS0007EJ0100 Rev.1.00

Jul 08, 2010

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UPA2590T1H-T2-AT	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.083ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
UPA2591T1H-T2-AT	RENESAS	获取价格	4 A, 30 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2429, VSOF-
UPA2592T1H-T2-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,4A I(D),TSOP
UPA2593T1H-T2-AT	RENESAS	获取价格	4.5 A, 40 V, 0.103 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, VSOF-8
UPA2600T1R	RENESAS	获取价格	N-CHANNEL MOSFET 20 V, 7.0 A, 13.8 m
UPA2600T1R-E2-AX	RENESAS	获取价格	N-CHANNEL MOSFET 20 V, 7.0 A, 13.8 m
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