是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A | 最大漏极电流 (ID): | 4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.07 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F8 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 16 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPA2592T1H-T2-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,4A I(D),TSOP | |
UPA2593T1H-T2-AT | RENESAS |
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4.5 A, 40 V, 0.103 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, VSOF-8 | |
UPA2600T1R | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET 20 V, 7.0 A, 13.8 m | |
UPA2600T1R-E2-AX | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET 20 V, 7.0 A, 13.8 m | |
UPA2610T1C | RENESAS |
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5A, 20V, 0.08ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 3 X 2 MM, MLPM, 8 PIN | |
UPA2630T1R | RENESAS |
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P-CHANNEL MOSFET -12 V, -7.0 A, 28 m | |
UPA2630T1R-E2-AX | RENESAS |
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P-CHANNEL MOSFET -12 V, -7.0 A, 28 m | |
UPA2631T1R | RENESAS |
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P-CHANNEL MOSFET -20 V, -8.0 A, 32 m | |
UPA2631T1R-E2-AX | RENESAS |
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P-CHANNEL MOSFET -20 V, -8.0 A, 32 m | |
UPA2650T1E | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |