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UNRF1A2

更新时间： 2024-01-26 21:26:02

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描述
複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

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UNRF1A2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UNRF1A2 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNRF1A2

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

デジタル回路用

I 特ꢀ長

•

超小形リードレスパッケージのため機器の小形化および高

密度実装に最適

+0.01

0.39

1.00 0.0ꢀ

−0.03

パッケージサイズ(0.6 mm × 1.0 mm × 高さ0.39 mm)

0.2ꢀ 0.0ꢀ

I 絶対最大定格 T_a= 25°C

0.6ꢀ 0.01

0.0ꢀ 0.03

項目

記号

定格

−50

−80

100

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

コレクタ電流

全許容損失

I_C

P_T

ML3-N2 Package

接

合温度

T_j

125

°C

形名表示記号 : 3S

保存温度

T_stg

−55 ∼ +125

°C

内部接続図

R₁

R₂

I 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

V_CBO

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

−50

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

−50

− 0.1

− 0.5

− 0.2

µA

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)

I_CEO

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) I_EBO

直流電流増幅率

h_FE



コレクタ・エミッタ間飽和電圧

出力電圧ハイレベル

出力電圧ローレベル

入力抵抗

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

− 0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ

−4.9

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

− 0.2

+30%

1.2

−30%

1.0

kΩ



抵抗比率

R₁/ R₂

f_T

0.8

トランジション周波数

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

発行年月 : 2004年1月

SJH00090AJD

12 3

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