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UNRF1AF

更新时间： 2024-11-26 15:56:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	452K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 1 X 0.60 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN

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UNRF1AF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILIT-IN BIAS RESISTOR	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UNRF1AF 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNRF1AF

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

Unit: mm

 Features



Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for

Ultraminiature leadless package 0.6 mm

1.0 mm (height 0.39 mm)

+0.01

0.39

1.00±0.05

−0.03

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25

0.25±0.05

^0.25±0.051

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

−

Unit

−

0.65±0.01

0.05±0.03

−

Total power dissipation

P_T

100

Junction temperature

T_j

125

1: Base

2: Emitter

Storage temperature

stg

–55 to +125

3: Collector

ML3-N2 Package

Marking Symbol: 4K

Internal Connection

R₁

R₂



Electrical Characteristics

_a= 25

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

V_CBOI_C

−

10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C

−

2 mA, I_B= 0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB

−

50 V, I_E= 0

V_CE

−

50 V, I_B= 0

V_EB

−

6 V, I_C= 0

−

0.1

−

0.5

−

1.0

µA

V_CE

−

10 V, I_C

−

5 mA



V_CE(sat)I_C

−

10 mA, I_B

−

0.3 mA

−

0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC

−

5 V, V_B

−

0.5 V, R_L= 1 kΩ

V_CC

−

5 V, V_B

−

2.5 V, R_L= 1 kΩ

−

4.9

Output voltage low-level

−

0.2

+30%

0.57

Input resistance

4.7

0.47

kΩ



−

30%

0.37

Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

Transition frequency

V_CB

−

10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: September 2005

SJH00115AED

12 3

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