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UNR311A

更新时间： 2024-11-16 20:38:31

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	58K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SSSMINI3-F1, 3 PIN

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UNR311A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UNR311A 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR3113, UNR311A, UNR311T

Silicon PNP epitaxial planar transistor

Unit: mm

+0.05

0.33

0.10

–0.02

For digital circuits

–0.02

■ Features

• Optimum for downsizing of the equipment and high-density mount-

ing

+0.05

–0.02

0.23

(0.40)(0.40)

• Contribute for low power consumption

0.80 0.05

1.20 0.05

5˚

■ Resistance by Part Number

Marking symbol (R₁)

(R₂)

• UNR3113

• UNR311A

• UNR311T

47 kΩ

100 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

100 kΩ

47 kΩ

1: Base

2: Emitter

3: Collector

SSSMini3-F1 Package

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Internal Connection

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

−50

Unit

R₁

−50

R₂

−100

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

100

T_j

125

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector cutoff current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

−50

Typ

Max

Unit

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

− 0.1

− 0.5

− 0.1

− 0.2

µA

I_CEO

UNR3113, 311A

I_EBO

Emitter cutoff

current

UNR311T

UNR3113, 311A

UNR311T

h_FE

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

Forward current

transfer ratio

400

Collector to emitter saturation voltage

High-level output voltage

Low-level output voltage UNR3113

UNR311A

V_CE(sat)

V_OH

− 0.25

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ −4.9

V_CC= −5 V, V_B= −3.5 V, R_L= 1 kΩ

V_CC= −5 V, V_B= −5.0 V, R_L= 1 kΩ

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

V_OL

− 0.2

UNR311T

Publication date: May 2002

SJH00041CED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR311T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SSSMINI
UNR31A0	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR31A1	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar transistor
UNR31A1G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
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UNR31A4	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar transistor For digital circuits
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