Datasheet > UNR31A2

UNR31A2

更新时间： 2024-11-15 23:39:31

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	183K
描述
複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UNR31A2 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNR31A2

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

+0.05

–0.02

+0.05

0.10

–0.02

デジタル回路用

0.33

■ 特ꢀ長

•

機器の小形化および高密度実装に最適

低消費電力に貢

+0.05

献

0.23_–0.02

(0.40)(0.40)

0.80 ^0.05

1.20 0.05

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

5°

項目

記号

定格

−50

−80

100

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

コレクタ電流

全許容損失

I_C

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

P_T

接

合温度

T_j

125

°C

SSSMini3-F1 Package

保存温度

T_stg

−55 ∼ +125

°C

形名表示記号 : CF

内部接続図

R₁(22 kΩ)

R₂

(22 kΩ)

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

V_CBO

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

−50

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

−50

− 0.1

− 0.5

− 0.2

µA

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)

I_CEO

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) I_EBO

直流電流増幅率

h_FE



コレクタ・エミッタ間飽和電圧

出力電圧ハイレベル

出力電圧ローレベル

入力抵抗

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

− 0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ

−4.9

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

− 0.2

+30%

1.2

−30%

1.0

kΩ



抵抗比率

R₁/ R₂

f_T

0.8

トランジション周波数

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

発行年月 : 2003年4月

SJH00088AJD

12 3

中文翻译

下载PDF

与UNR31A2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR31A2G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
UNR31A3	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar transistor
UNR31A3G	PANASONIC	获取价格	暂无描述
UNR31A4	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar transistor For digital circuits
UNR31A4G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
UNR31A5	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR31A6	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNR31A6G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
UNR31A7	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
UNR31A7G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C