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UNR31A7G

更新时间： 2024-11-16 19:54:15

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	239K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN

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UNR31A7G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UNR31A7G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNR31A7

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

–0.02

+0.05

For digital circuits

0.33

0.10

–0.02

■ Features

• Suitable for high-density mounting downsizing of the equipment

• Contribute to low power consumption

+0.05

0.23

–0.02

(0.40)(0.40)

0.80 ^0.05

1.20 0.05

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

5°

Parameter

Symbol

Rating

−50

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

T_j

−80

°C

1: Base

2: Emitter

3: Collector

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

125

SSSMini3-F1 Package

T_stg

−55 to +125

°C

Marking Symbol: CP

Internal Connection

R₁(22 kΩ)

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

−50

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

− 0.1

− 0.5

− 0.01

460

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE

160

−4.9

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

− 0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ

Output voltage low-level

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

− 0.2

Input resistance

−30%

+30%

kΩ

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: October 2004

SJH00095AED

12 3

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