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UNR31AH PDF预览

UNR31AH

更新时间： 2024-10-15 19:36:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN

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UNR31AH 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.83
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.54最大集电极电流 (IC)：0.08 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

UNR31AH 数据手册

 浏览型号UNR31AH的Datasheet PDF文件第2页 
Transistors with built-in Resistor  
UNR31AH  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
+0.05  
–0.02  
+0.05  
For digital circuits  
0.33  
0.10  
–0.02  
3
■ Features  
• Suitable for high-density mounting downsizing of the equipment  
• Contribute to low power consumption  
+0.05  
1
2
0.23  
–0.02  
(0.40)(0.40)  
0.80 0.05  
1.20 0.05  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
5°  
Parameter  
Symbol  
Rating  
−50  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
−50  
V
Collector current  
IC  
PT  
Tj  
−80  
mA  
mW  
°C  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
100  
125  
SSSMini3-F1 Package  
Tstg  
−55 to +125  
°C  
Marking Symbol: EC  
Internal Connection  
R1 (2.2 kΩ)  
B
C
E
R2  
(10 kΩ)  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
−50  
−50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Output voltage high-level  
IC = −10 µA, IE = 0  
IC = −2 mA, IB = 0  
V
VCB = −50 V, IE = 0  
VCE = −50 V, IB = 0  
VEB = −6 V, IC = 0  
VCE = −10 V, IC = −5 mA  
− 0.1  
− 0.5  
−1.0  
µA  
µA  
mA  
ICEO  
IEBO  
hFE  
30  
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA  
− 0.25  
V
VOH  
VOL  
R1  
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ  
−4.9  
V
Output voltage low-level  
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ  
− 0.2  
+30%  
0.27  
V
Input resistance  
−30%  
2.2  
0.22  
80  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
fT  
0.17  
Transition frequency  
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: November 2004  
SJH00105AED  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UNR31AHG PANASONIC

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