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UNR31A8G PDF预览

UNR31A8G

更新时间： 2024-10-15 21:15:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 255K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN

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UNR31A8G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10最大集电极电流 (IC)：0.08 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

UNR31A8G 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors with built-in Resistor  
UNR31A8  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For digital circuits  
Features  
Package  
Suitable for high-density mounting and downsizing of the equipment  
Contribute to low power consumption  
ꢀCode  
SSSMini3-F1  
ꢀPin Name  
1: Base  
2: mitter  
ctor  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
–50  
Unit  
V
Marking Symbol: KS  
Internal Connection  
–
V
mA  
mW  
°C  
Total power dissipation  
P
100  
R1 (0.51 kΩ)  
Junction temperature  
Tj  
125  
C
E
B
Storage temperature  
T
stg  
–55 t+125  
°C  
R2  
(5.1 kΩ)  
Electal Charstics Ta = 5°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–50  
–50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Colector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter vBase pen)  
Collector-base cmitter open)  
Collector-emitter cut(Base open)  
Emitter-base cutoff curre(Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Output voltage high-level  
VCBO IC = –10 mA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = –50 V, IE = 0  
VCE = –50 V, IB = 0  
VEB = –6 V, IC = 0  
– 0.1  
– 0.5  
–2.0  
mA  
mA  
mA  
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
20  
V
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = – 0.3 mA  
– 0.25  
VOH  
VOL  
R1  
VCC = –5 V, VB = – 0.5 V, RL = 1 kW  
VCC = –5 V, VB = – 2.5 V, RL = 1 kW  
–4.9  
V
Output voltage low-level  
– 0.2  
+30%  
0.12  
V
Input resistance  
–30%  
0.08  
0.51  
0.10  
80  
kW  
Resistance ratio  
R1 / R2  
fT  
Transition frequency  
VCB = –10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: November 2008  
SJH00260AED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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