UNR31A1

更新时间： 2024-10-14 08:23:59

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	72K
描述
Silicon PNP epitaxial planar transistor

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UNR31A1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.83
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UNR31A1 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR31A1

Silicon PNP epitaxial planar transistor

Unit: mm

+0.05

–0.02

+0.05

For digital circuits

0.33

0.10

–0.02

■ Features

• Suitable for high-density mounting and downsizing of the equipment

• Contribute to low power consumption

+0.05

0.23

–0.02

(0.40)(0.40)

0.80 ^0.05

1.20 0.05

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

5°

Parameter

Symbol

Rating

−50

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

T_j

−80

°C

1: Base

2: Emitter

3: Collector

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

125

SSSMini3-F1 Package

T_stg

−55 to +125

°C

Marking Symbol: CE

Internal Connection

R₁(10 kΩ)

R₂

(10 kΩ)

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

−50

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

− 0.1

− 0.5

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

− 0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ

−4.9

Output voltage low-level

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

− 0.2

+30%

1.2

Input resistance

−30%

1.0

kΩ



Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

0.8

Transition frequency

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: April 2003

SJH00084AED

12 3

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与UNR31A1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR31A1G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
UNR31A2	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNR31A2G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
UNR31A3	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar transistor
UNR31A3G	PANASONIC	获取价格	暂无描述
UNR31A4	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar transistor For digital circuits
UNR31A4G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
UNR31A5	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR31A6	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
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