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UNR311T

更新时间： 2024-11-16 20:38:31

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	58K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SSSMINI3-F1, 3 PIN

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UNR311T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.136
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UNR311T 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR3113, UNR311A, UNR311T

Silicon PNP epitaxial planar transistor

Unit: mm

+0.05

0.33

0.10

–0.02

For digital circuits

–0.02

■ Features

• Optimum for downsizing of the equipment and high-density mount-

ing

+0.05

–0.02

0.23

(0.40)(0.40)

• Contribute for low power consumption

0.80 0.05

1.20 0.05

5˚

■ Resistance by Part Number

Marking symbol (R₁)

(R₂)

• UNR3113

• UNR311A

• UNR311T

47 kΩ

100 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

100 kΩ

47 kΩ

1: Base

2: Emitter

3: Collector

SSSMini3-F1 Package

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Internal Connection

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

−50

Unit

R₁

−50

R₂

−100

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

100

T_j

125

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector cutoff current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

−50

Typ

Max

Unit

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

− 0.1

− 0.5

− 0.1

− 0.2

µA

I_CEO

UNR3113, 311A

I_EBO

Emitter cutoff

current

UNR311T

UNR3113, 311A

UNR311T

h_FE

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

Forward current

transfer ratio

400

Collector to emitter saturation voltage

High-level output voltage

Low-level output voltage UNR3113

UNR311A

V_CE(sat)

V_OH

− 0.25

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ −4.9

V_CC= −5 V, V_B= −3.5 V, R_L= 1 kΩ

V_CC= −5 V, V_B= −5.0 V, R_L= 1 kΩ

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

V_OL

− 0.2

UNR311T

Publication date: May 2002

SJH00041CED

12 3

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与UNR311T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR31A0	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR31A1	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar transistor
UNR31A1G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
UNR31A2	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNR31A2G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
UNR31A3	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar transistor
UNR31A3G	PANASONIC	获取价格	暂无描述
UNR31A4	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar transistor For digital circuits
UNR31A4G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
UNR31A5	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor

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