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UMD2N

更新时间： 2024-02-01 11:53:51

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SECOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	456K
描述
NPN-PNP built-in re sistors Multi-Chip Digital Transistor

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UMD2N 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.38
其他特性：	DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	56	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UMD2N 数据手册

UMD2N

NPN-PNP built-in resistors

Multi-Chip Digital Transistor

Elektronische Bauelemente

SOT-363

8^o

.055(1.40)

.047(1.20)

.026TYP

(0.65TYP)

.021REF

(0.525)REF

Features

.053(1.35)

.045(1.15)

.096(2.45)

.085(2.15)

* DTA124E and DTC124E transistors are

built-in a SOT-363 package.

* Transistor elements are independent,

eliminating interference.

.018(0.46)

.010(0.26)

.014(0.35)

.006(0.15)

.003(0.08)

* Mounting cost and area can be cut in half.

.087(2.20)

.079(2.00)

.004(0.10)

.000(0.00)

(3)

(2)

R1 R²

(1)

.043(1.10)

.035(0.90)

.039(1.00)

.035(0.90)

DTr1

DTr2

(4) (5) (6)

Dimensions in inches and (millimeters)

R1=R2=22K

MARKING:D2

Electrical Characteristics( Tamb=25^OC unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Unit

Limits

Supply voltage

Input voltage

V_CC

V_IN

-10~40

I_O

Output current

I_C(MAX)

-100

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150(TOTAL)

150

℃

Tstg

-55~150

℃

Electrical characteristics (Ta=25℃)

Parameter

Symbol

V_I(off)

V_I(on)

V_O(on)

I_I

Min.

Typ

Max.

0.5

Unit

Conditions

V_CC=5V ,I_O=100μA

V_O=0.2V ,I_O=10mA

I_O/I_I=10mA/0.5mA

V_I=5V

Input voltage

Output voltage

Input current

0.3

0.36

0.5

µA

Output current

I_O(off)

G_I

V_CC=50V, V_I=0

V_O=5V,I_O=5mA

DC current gain

Input resistance

Resistance ratio

Transition frequency

R₁

15.4

28.6

KΩ

R₂/R₁

f_T

0.8

1.2

250

MHz

V_CE=10V ,I_E=-5mA,f=100MHz

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jan-2006 Rev. A

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与UMD2N相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UMD2N_1	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	获取价格
UMD2NFHA	ROHM	车载数字晶体管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。	获取价格
UMD2NHE3	MCC	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn;	获取价格
UMD2NHE3-TPQ2	MCC	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn;	获取价格
UMD2NQ	YANGJIE	SOT-363	获取价格
UMD2NTL	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon	获取价格