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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UMD34N | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
50V,100mA,NPN Bipolar Digital Transistor 50V,100mA,PNP Bipolar Digital Transistor |
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| UMD3N | HTSEMI |
获取价格 |
DUAL DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP) |
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| UMD3N | SECOS |
获取价格 |
Multi-Chip Digital Transistor |
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| UMD3N | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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| UMD3N | MCC |
获取价格 |
Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn; |
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| UMD3N | CJ |
获取价格 |
SOT-363 |
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| UMD3N | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-363 |
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| UMD3N | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
50V,50mA,NPN Bipolar Digital Transistor 50V,50mA,PNP Bipolar Digital Transistor |
|
| UMD3N_1 | ROHM |
获取价格 |
General purpose (Dual digital transistors) |
|
| UMD3NFHA | ROHM |
获取价格 |
车载数字晶体管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 |
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