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TTA1452B

更新时间： 2024-02-06 12:32:04

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东芝 - TOSHIBA		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	201K
描述
TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

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TTA1452B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-220SIS, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

TTA1452B 数据手册

TTA1452B

Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type

TTA1452B

1. Applications

•

High-Current Switching

2. Features

(1) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = -0.4 V (max) (IC = -6 A , IB = -0.3 A)

(2) High speed switching: tstg = 1 µs (typ.)

(3) Complementary to TTC3710B

3. Packaging and Internal Circuit

1. Base

2. Collector

3. Emitter

TO-220SIS

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25  unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulsed)

Base current

VCBO

VCEO

VEBO

-80

-6

(Note 1)

-12

-15

-2

ICP

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

(Tc = 25 )

150



Tstg

-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Ensure that the junction temperature does not exceed 150 .

2013-01-21

Rev.2.0

12 3 4 5 6 7

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