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TTA2060

更新时间: 2024-11-19 14:57:39
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 300K
描述
PNP Bipolar Transistor, -50 V, -2 A, PW-Mini

TTA2060 数据手册

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TTA2060  
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type  
TTA2060  
1. Applications  
High-Speed Switching  
DC-DC Converters  
2. Features  
(1) High DC current gain: hFE = 200 to 500 (VCE = -2 V, IC = -0.3 A)  
(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = -0.18 V (max) (IC = -1.0 A, IB = -33 mA)  
(3) High-speed switching: tf = 90 ns (typ.) (IC =1.0 A)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1. Base  
2. Collector (Heatsink)  
3. Emitter  
PW-Mini  
Start of commercial production  
2023-03  
©2022-2023  
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  
2023-01-16  
Rev.2.0  
1

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