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TTB001

更新时间： 2024-01-03 02:54:02

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东芝 - TOSHIBA		/
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Silicon PNP Diffused Type

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TTB001 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	S-PDSO-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	9 MHz
Base Number Matches：	1

TTB001 数据手册

TTB001

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Diffused Type

TTB001

○Audio Frequency Power Amplifier Application

Unit: mm

•

Low collector saturation voltage : V

= −1.7 V (max)

CE (sat)

High power dissipation

: P = 36 W (Tc = 25°C)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

-60

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-7

-3

Collector current (Note1)

1. Base

2. N.C.

3. Emitter

Pulse

-6

Base current

-0.5

4. Collector (heat sink)

Collector power dissipation

Junction temperature (Note 2)

Tc = 25°C

°C

175

-55 to 175

JEDEC

JEITA

⎯

stg

Storage temperature range (Note 2)

TOSHIBA

2-9F1D

Note 1: Ensure that the junction temperature does not exceed 175°C

during use of the device.

Weight: 1.4 g (typ.)

Note 2: Junction temperature is guaranteed up to 175°C based on AEC

Q101.

Note 3: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2009-09-17

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TTB001(TE24L,Q)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,3A I(C),SMT
TTB002	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, 2-7J1A, 3 PIN, BIP Genera
TTB100D	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|180V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|DO-15
TTB100S	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|180V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|DO-214AB
TTB100T	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|180V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|TO-220AC
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TTB105N08A	WUXI UNIGROUP	获取价格	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T
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