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TSM4N60CPROG

更新时间： 2024-11-11 08:33:27
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 334K
描述
600V N-Channel Power MOSFET

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TSM4N60CPROG 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.68
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TSM4N60CPROG 数据手册

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TSM4N60  
600V N-Channel Power MOSFET  
TO-220  
ITO-220  
TO-251  
(IPAK)  
TO-252  
(DPAK)  
Pin Definition:  
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
PRODUCT SUMMARY  
V
DS (V)  
RDS(on)(Ω)  
ID (A)  
600  
2.5 @ VGS =10V  
2
General Description  
The TSM4N60 is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been  
especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. There  
devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies, active power factor correction, electronic  
lamp ballasts base on half bridge topology.  
Block Diagram  
Features  
●
●
●
●
Robust high voltage termination  
Avalanche energy specified  
Diode is characterized for use in bridge circuits  
Source to Drain diode recovery time comparable to a  
discrete fast recovery diode.  
Ordering Information  
Part No.  
Package  
Packing  
50pcs / Tube  
TSM4N60CZ C0  
TSM4N60CZ C0G  
TSM4N60CI C0  
TSM4N60CI C0G  
TSM4N60CH C5  
TSM4N60CH C5G  
TSM4N60CP RO  
TSM4N60CP ROG  
TO-220  
TO-220  
ITO-220  
ITO-220  
TO-251  
TO-251  
TO-252  
TO-252  
50pcs / Tube  
50pcs / Tube  
N-Channel MOSFET  
50pcs / Tube  
75pcs / Tube  
75pcs / Tube  
2.5Kpcs / 13” Reel  
2.5Kpcs / 13” Reel  
Note: “G” denotes for Halogen Free  
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
600  
Gate-Source Voltage  
VGS  
±30  
V
Continuous Drain Current  
ID  
4
16  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
A
Single Pulse Drain to Source Avalanche Energy (note c)  
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive (note d)  
Peak Diode Recovery dv/dt (note e)  
EAS  
IAR  
120  
mJ  
mJ  
V/ns  
10  
dv/dt  
4.5  
TO-220 / TO-251 / TO-252  
ITO-220  
70  
Total Power Dissipation  
@TC = 25oC  
PTOT  
W
25  
Operating Junction Temperature  
TJ  
+150  
-55 to +150  
oC  
oC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
1/11  
Version: D10  
1234567...11

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