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TSM4NB60CHC5G

更新时间： 2024-11-11 08:33:27
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 363K
描述
600V N-Channel Power MOSFET

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TSM4NB60CHC5G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TSM4NB60CHC5G 数据手册

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TSM4NB60  
600V N-Channel Power MOSFET  
TO-220  
ITO-220  
Pin Definition:  
1. Gate  
2. Drain  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
RDS(on)(Ω)  
ID (A)  
3. Source  
600  
2.5 @ VGS =10V  
2
General Description  
The TSM4NB60 N-Channel Power MOSFET is  
produced by new advance planar process. This  
advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior  
switching performance, and withstand high energy  
pulse in the avalanche and commutation mode.  
TO-251  
(IPAK)  
TO-252  
(DPAK)  
Block Diagram  
Features  
●
●
●
●
Low RDS(ON) 2.2Ω (Typ.)  
Low gate charge typical @ 14.5nC (Typ.)  
Low Crss typical @ 7.0pF (Typ.)  
100% Avalanche Tested  
Ordering Information  
Part No.  
Package  
Packing  
75pcs / Tube  
TSM4NB60CH C5G  
TSM4NB60CP ROG  
TSM4NB60CZ C0  
TSM4NB60CI C0  
TO-251  
TO-252  
TO-220  
ITO-220  
2.5Kpcs / 13” Reel  
50pcs / Tube  
N-Channel MOSFET  
50pcs / Tube  
Note: “G” denotes for Halogen Free  
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Limit  
Parameter  
Symbol  
Unit  
IPAK/DPAK  
ITO-220  
TO-220  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
600  
V
V
±30  
Tc = 25ºC  
4
A
Continuous Drain Current  
ID  
Tc = 100ºC  
2.4  
A
Pulsed Drain Current *  
IDM  
EAS  
IAR  
16  
A
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
Avalanche Current (Repetitive) (Note 1)  
Repetitive Avalanche Energy (Note 1)  
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)  
Total Power Dissipation @ TC = 25oC  
Operating Junction Temperature  
100  
mJ  
A
4
EAR  
dv/dt  
PTOT  
TJ  
5
4.5  
mJ  
V/ns  
W
ºC  
oC  
50  
25  
70  
150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-55 to +150  
Note: Limited by maximum junction temperature  
1/10  
Version: B11  
1234567...10

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