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TSM4N60CZC0

更新时间： 2024-11-11 05:55:51
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TSC 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 474K
描述
600V N-Channel Power MOSFET

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TSM4N60CZC0 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TSM4N60CZC0 数据手册

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TSM4N60  
600V N-Channel Power MOSFET  
TO-220  
ITO-220  
TO-251  
(IPAK)  
TO-252  
(DPAK)  
Pin Definition:  
1. Gate  
PRODUCT SUMMARY  
2. Drain  
3. Source  
VDS (V)  
RDS(on)(Ω)  
ID (A)  
600  
2.5 @ VGS =10V  
2
General Description  
The TSM4N60 is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been  
especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. There devices are  
well suited for high efficiency switch mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts  
base on half bridge topology.  
Block Diagram  
Features  
●
●
●
●
Robust high voltage termination  
Avalanche energy specified  
Diode is characterized for use in bridge circuits  
Source to Drain diode recovery time comparable to a  
discrete fast recovery diode.  
Ordering Information  
Part No.  
Package  
Packing  
50pcs / Tube  
TSM4N60CZ C0  
TSM4N60CI C0  
TSM4N60CH C5  
TSM4N60CP RO  
TO-220  
ITO-220  
TO-251  
TO-252  
50pcs / Tube  
80pcs / Tube  
N-Channel MOSFET  
2.5Kpcs / 13” Reel  
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Limit  
600  
±30  
4
Unit  
V
VDS  
VGS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
16  
A
Single Pulse Drain to Source Avalanche Energy  
(VDD = 50V, IAS=4A, L=27.5mH, RG=25Ω), Starting TJ = 25oC  
Repetitive Avalanche Energy  
EAS  
EAR  
dv/dt  
240  
10  
mJ  
mJ  
(Pulse width limited by junction temperature)  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.5  
70  
V/ns  
(ISD ≤ 4A, di/dt ≤ 200A/us, VDD ≤ BVDSS) Starting TJ=25ºC  
TO-220 / TO-251 / TO-252  
ITO-220  
Maximum Power Dissipation  
@Ta = 25oC  
PD  
W
25  
Operating Junction Temperature  
TJ  
+150  
oC  
oC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
1/9  
Version: A07  
1234567...9

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