5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > TSM4N60CIC0G
TSM4N60CIC0G PDF预览

TSM4N60CIC0G

更新时间： 2024-11-11 08:33:27
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 334K
描述
600V N-Channel Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

TSM4N60CIC0G 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.68
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：2.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TSM4N60CIC0G 数据手册

 浏览型号TSM4N60CIC0G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TSM4N60CIC0G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TSM4N60CIC0G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TSM4N60CIC0G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TSM4N60CIC0G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TSM4N60CIC0G的Datasheet PDF文件第7页 
TSM4N60  
600V N-Channel Power MOSFET  
TO-220  
ITO-220  
TO-251  
(IPAK)  
TO-252  
(DPAK)  
Pin Definition:  
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
PRODUCT SUMMARY  
V
DS (V)  
RDS(on)(Ω)  
ID (A)  
600  
2.5 @ VGS =10V  
2
General Description  
The TSM4N60 is produced using advanced planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been  
especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. There  
devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies, active power factor correction, electronic  
lamp ballasts base on half bridge topology.  
Block Diagram  
Features  
●
●
●
●
Robust high voltage termination  
Avalanche energy specified  
Diode is characterized for use in bridge circuits  
Source to Drain diode recovery time comparable to a  
discrete fast recovery diode.  
Ordering Information  
Part No.  
Package  
Packing  
50pcs / Tube  
TSM4N60CZ C0  
TSM4N60CZ C0G  
TSM4N60CI C0  
TSM4N60CI C0G  
TSM4N60CH C5  
TSM4N60CH C5G  
TSM4N60CP RO  
TSM4N60CP ROG  
TO-220  
TO-220  
ITO-220  
ITO-220  
TO-251  
TO-251  
TO-252  
TO-252  
50pcs / Tube  
50pcs / Tube  
N-Channel MOSFET  
50pcs / Tube  
75pcs / Tube  
75pcs / Tube  
2.5Kpcs / 13” Reel  
2.5Kpcs / 13” Reel  
Note: “G” denotes for Halogen Free  
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
600  
Gate-Source Voltage  
VGS  
±30  
V
Continuous Drain Current  
ID  
4
16  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
A
Single Pulse Drain to Source Avalanche Energy (note c)  
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive (note d)  
Peak Diode Recovery dv/dt (note e)  
EAS  
IAR  
120  
mJ  
mJ  
V/ns  
10  
dv/dt  
4.5  
TO-220 / TO-251 / TO-252  
ITO-220  
70  
Total Power Dissipation  
@TC = 25oC  
PTOT  
W
25  
Operating Junction Temperature  
TJ  
+150  
-55 to +150  
oC  
oC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
1/11  
Version: D10  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与TSM4N60CIC0G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSM4N60CPRO TSC

获取价格

 		600V N-Channel Power MOSFET
TSM4N60CPROG TSC

获取价格

 		600V N-Channel Power MOSFET
TSM4N60CZC0 TSC

获取价格

 		600V N-Channel Power MOSFET
TSM4N60CZC0G TSC

获取价格

 		600V N-Channel Power MOSFET
TSM4N60E TSC

获取价格

 		600V, 4A, 2.5Ω N-Channel Power MOSFET
TSM4N60ECHC5G TSC

获取价格

 		600V, 4A, 2.5Ω N-Channel Power MOSFET
TSM4N60ECPROG TSC

获取价格

 		600V, 4A, 2.5Ω N-Channel Power MOSFET
TSM4N70 TSC

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
TSM4N70CHC5G TSC

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
TSM4N70CIC0G TSC

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET

与TSM4N60CIC0G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证