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TPCA8105(TE12L,Q)

更新时间： 2024-01-12 09:52:18

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
7页	246K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,6A I(D),SO

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TPCA8105(TE12L,Q) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

TPCA8105(TE12L,Q) 数据手册

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TPCA8105

– t

1000

(1) Device mounted on a glass-epoxy board (a) (Note 2a)

(2) Device mounted on a glass-epoxy board (b) (Note 2b)

(2)

(1)

(3) Tc=25℃

100

(3)

SINGLE PULSE

100

0.1

0.001

0.01

0.1

1000

Pulse width

(s)

– Ta

P – Tc

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

(1) Device mounted on a glass-epoxy

board (a) (Note 2a)

(1)

(2)

(2) Device mounted on a glass-epoxy

board (b) (Note 2b)

t = 10s

120

160

120

160

Ambient temperature Ta (°C)

Case temperature Tc (°C)

Safe operating area

−100

−10

−1

max (Pulsed) *

t=1ms

10ms

max (Continuous)

DC OPEATION

Single nonrepetitive pulse

Tc = 25°C

Curves must be derated linearly with

increase in temperature.

0.1

−10

−0.1

−1

−100

Drain−source voltage

(V)

2010-03-02

1...3 4 567

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