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TPCA8105(TE12L,Q)

更新时间: 2024-02-19 19:58:08
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 246K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,6A I(D),SO

TPCA8105(TE12L,Q) 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):6 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YESBase Number Matches:1

TPCA8105(TE12L,Q) 数据手册

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TPCA8105  
I
– V  
I – V  
D DS  
D
DS  
5  
4  
3  
2  
1  
0
10  
8  
6  
4  
2  
0
Common source  
Ta = 25°C Pulse test  
5  
2.5  
1.9 1.8  
1.7  
1.6  
2.5 2  
3  
4  
2  
3  
1.9  
1.8  
4.5  
4  
5  
1.7  
1.5  
1.6  
1.5  
V
= −1.4 V  
GS  
V
= −1.4 V  
GS  
Common source  
Ta = 25°C Pulse test  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0
1  
2  
3  
4  
5  
Drainsource voltage  
V
(V)  
Drainsource voltage  
V
(V)  
DS  
DS  
I
D
– V  
V
– V  
DS GS  
GS  
10  
8  
6  
4  
2  
0
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
Common source  
= −10 V  
Common source  
Ta = 25°C  
V
DS  
Pulse test  
Pulse test  
Ta = 25°C  
I
= −6 A  
3 A  
D
Ta = −55°C  
2.0  
Ta = 100°C  
1.5 A  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.5  
0
2  
4  
6  
8  
10  
Gatesource voltage  
V
(V)  
Gatesource voltage  
V
(V)  
GS  
GS  
|Y | – I  
fs  
R
– I  
DS (ON) D  
D
100  
10  
1
1000  
Common source  
= −10 V  
Common source  
V
Ta = 25°C  
DS  
Pulse test  
Pulse test  
Ta = −55°C  
Ta = 100°C  
Ta = 25°C  
100  
10  
1
1.8 V  
2.5 V  
V
= −4.5 V  
GS  
0.1  
0.1  
1  
10  
100  
0.1  
1  
10  
100  
Drain currrent  
I
(A)  
Drain current  
I
(A)  
D
D
4
2010-03-02  

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