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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TPCA8005-H
TPCA8005-H PDF预览

TPCA8005-H

更新时间： 2024-11-25 03:26:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 192K
描述
Silicon N Channel MOS Type (Ultra High speed U-MOSIII)

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TPCA8005-H 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：2-5Q1A, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.85
雪崩能效等级（Eas）：95 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：81 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCA8005-H 数据手册

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TPCA8005-H  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra High speed U-MOSIII)  
TENTATIVE  
TPCA8005-H  
High Speed and High Efficiency DC-DC Converters  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
0.4±0.1  
1.27  
0.5±0.1  
0.05  
M A  
5
8
Portable Equipment Applications  
0.15±0.05  
•
•
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
High speed switching  
4
0.595  
A
1
Small gate charge: Q = 24 nC (typ.)  
g
5.0±0.2  
0.95±0.05  
Low drain-source ON resistance: R  
= 6.8 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
0.166±0.05  
High forward transfer admittance: |Y | = 46S (typ.)  
fs  
= 10 µA (max) (V  
0.05  
S
S
Low leakage current: I  
DSS  
= 30 V)  
DS  
1.1±0.2  
1
4
Enhancement mode: V = 1.1 to 2.3 V (V  
th  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
DS  
4.25±0.2  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
8
5
0.8±0.1  
1,2,3：SOURCE  
5,6,7,8：DRAIN  
4：GATE  
Drain-source voltage  
V
V
30  
30  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
JEDEC  
―
GS  
DGR  
V
GSS  
±20  
30  
JEITA  
―
DC  
(Note 1)  
I
D
TOSHIBA  
2-6J1B  
Drain current  
A
Pulsed (Note 1)  
I
90  
DP  
Weight: 0.080 g (typ.)  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(Tc=25℃)  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
P
45  
W
W
D
P
2.8  
1.6  
D
Circuit Configuration  
Drain power dissipation  
P
W
D
8
1
7
2
6
3
5
Single pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
117  
30  
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
AR  
4.5  
mJ  
(Tc=25℃) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
4
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4), please refer to the next  
page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2003-11-13  
1234

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TPCA8005-H 替代型号

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