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TPCA8010-H

更新时间： 2024-11-25 03:26:47
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东芝 - TOSHIBA 转换器
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
High Speed and High Efficiency DC-DC Converters

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TPCA8010-H 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：19 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A最大漏极电流 (ID)：5.5 A
最大漏源导通电阻：0.45 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：11 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCA8010-H 数据手册

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TPCA8010-H  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(π-MOSV)  
TENTATIVE  
TPCA8010-H  
High Speed and High Efficiency DC-DC Converters  
Unit: mm  
0.4±0.1  
1.27  
0.5±0.1  
0.05  
M A  
·
·
·
·
·
·
·
Small footprint due to small and thin package  
High speed switching  
Small gate charge: Q = 10nC (typ.)  
8
5
g
0.15±0.05  
Low drain-source ON resistance: R  
= 380mO (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = S (typ.)  
fs  
4
Low leakage current: I  
DSS  
= 100 µA (max) (V  
= 100 V)  
1
0.595  
A
DS  
= 10 V, I = 1 mA)  
5.0±0.2  
Enhancement mode: V = 2 to 4V (V  
th  
DS  
D
0.95±0.05  
0.166±0.05  
0.05  
S
S
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
1
1.1±0.2  
4
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
200  
200  
±20  
5.5  
11  
V
V
V
Drain-source voltage  
4.25±0.2  
DSS  
V
Drain-gate voltage (R = 20 kW)  
DGR  
GS  
8
5
0.8±0.1  
V
Gate-source voltage  
GSS  
1,2,3：SOURCE  
5,6,7,8：DRAIN  
4：GATE  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulsed (Note 1)  
I
DP  
JEDEC  
?
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(Tc=25℃)  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
P
15  
W
W
D
JEITA  
?
?
P
D
2.8  
1.6  
TOSHIBA  
Weight: 0.08 g (typ.)  
Drain power dissipation  
P
D
W
Single pulse avalanche energy  
E
19  
mJ  
A
AS  
Circuit Configuration  
(Note 3)  
Avalanche current  
I
5.5  
AR  
Repetitive avalanche energy  
8
7
6
5
E
1.5  
mJ  
AR  
(Tc=25℃) (Note 4)  
Channel temperature  
Storage temperature range  
T
150  
°C  
°C  
ch  
T
stg  
- 55~150  
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4), please refer to the next  
page.  
1
2
3
4
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
2004-3-2  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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