TPC6002

更新时间： 2024-01-08 18:47:17

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
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6页	157K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)

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TPC6002 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	2-3T1A, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPC6002 数据手册

TPC6002

– V

I – V

D DS

3.2

3.4

3.2

3.1

10, 8, 6

2.8

2.9

2.7

2.6

2.7

= 2.5 V

Common source

Ta = 25°C

Common source

Pulse test

Ta = 25°C Pulse test

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

Drain-source voltage

(V)

Drain-source voltage

(V)

– V

DS GS

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

Common source

= 10 V

Common source

Ta = 25°C

Pulse test

= 6 A

100°C

3 A

1.5 A

25°C

Ta = -55°C

1.5

2.5

3.5

0.5

Gate-source voltage

(V)

Gate-source voltage

(V)

|Y | – I

– I

DS (ON)

100

Common source

= 10 V

Common source

Ta = 25°C

Pulse test

Ta = -55°C

25°C

100°C

= 4.5 V

10 V

0.1

0.3

(A)

100

Drain current

(A)

Drain current

2001-11-07

1 234 5 6

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