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TPC6002 PDF预览

TPC6002

更新时间： 2024-02-24 05:22:22
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 157K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)

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TPC6002 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：2-3T1A, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.8
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPC6002 数据手册

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TPC6002  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate leakage current  
Symbol  
Test Condition  
= ±16 V, V = 0 V  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
I
V
V
¾
¾
¾
¾
±10  
10  
¾
mA  
mA  
GSS  
GS  
DS  
DS  
Drain cut-OFF current  
= 30 V, V  
= 0 V  
DSS  
GS  
GS  
GS  
V
V
I
I
= 10 mA, V  
= 10 mA, V  
= 0 V  
30  
15  
1.3  
¾
¾
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
V
V
= -20 V  
¾
¾
V
V
V
V
V
= 10 V, I = 1 mA  
¾
2.5  
50  
30  
¾
th  
DS  
GS  
GS  
DS  
D
R
= 4.5 V, I = 3 A  
36  
DS (ON)  
DS (ON)  
D
Drain-source ON resistance  
mW  
S
R
= 10 V, I = 3 A  
¾
25  
D
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
|Y |  
fs  
= 10 V, I = 3 A  
3.5  
¾
10  
D
C
iss  
610  
105  
151  
¾
V
= 10 V, V  
= 0 V, f = 1 MHz  
GS  
pF  
Reverse transfer capacitance  
Output capacitance  
C
rss  
¾
¾
DS  
C
oss  
¾
¾
Rise time  
t
¾
¾
¾
¾
¾
3
9
¾
¾
¾
¾
¾
r
I
= 3 A  
D
10 V  
0 V  
V
GS  
V
OUT  
Turn-ON time  
Switching time  
t
on  
ns  
Fall time  
t
9
f
~
-
V
15 V  
DD  
Turn-OFF time  
t
27  
13  
off  
<
Duty 1%, t = 10 ms  
=
w
Total gate charge  
Q
g
(gate-source plus gate-drain)  
~
-
V
24 V, V  
= 10 V, I = 6 A  
nC  
DD  
GS  
D
Gate-source charge  
Q
Q
¾
¾
10  
3
¾
¾
gs  
Gate-drain (“miller”) charge  
gd  
Source-Drain Ratings and Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Pulse drain reverse current  
Forward voltage (Diode)  
(Note 1)  
I
¾
¾
¾
¾
¾
24  
A
V
DRP  
V
I
= 6 A, V = 0 V  
GS  
-1.2  
DSF  
DR  
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: (a) Device mounted on a glass-epoxy board (a) (t = 5 s)  
(b) Device mounted on a glass-epoxy board (b) (t = 5 s)  
FR-4  
25.4 ´ 25.4 ´ 0.8  
Unit: (mm)  
FR-4  
25.4 ´ 25.4 ´ 0.8  
Unit: (mm)  
(a)  
(b)  
Note 3: V  
DD  
= 24 V, T = 25°C (initial), L = 0.5 mH, R = 25 W, I = 3.0 A  
ch AR  
G
Note 4: Repetitive rating; pulse width limited by maximum channel temperature  
Note 5: Black round marking “·” locates on the left lower side of parts number marking “S2B” indicates terminal  
No.1.  
2
2001-11-07  
123456

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