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TPC6001

更新时间： 2024-01-03 15:42:13

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		电脑便携式便携式设备 PC
页数	文件大小	规格书
7页	201K
描述
Notebook PC Applications Portable Equipment Applications

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TPC6001 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.87	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

TPC6001 数据手册

TPC6001

− t

1000

300

100

Device mounted on a glass-

epoxy board (b) (Note 2b)

Device mounted on a glass-

epoxy board (a) (Note 2a)

0.3

0.1

Single pulse

0.001

0.01

0.1

100

1000

Pulse

(s)

Safe operating area

100

max (pulse)*

1 ms*

10 ms*

0.3

0.1

*: Single pulse Ta = 25°C

Curves must be derated

linearly with increase in

temperature

0.03

0.01

max

DSS

0.01 0.03

0.1

0.3

(V)

100

Drain-source voltage

2004-07-06

1...3 4 567

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