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TN3019

更新时间: 2024-09-19 21:14:27
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德州仪器 - TI 射频微波
页数 文件大小 规格书
9页 719K
描述
1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN

TN3019 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.82其他特性:HIGH CURRENT DRIVER
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:12 pF
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-237AA
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:2 W最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

TN3019 数据手册

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