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TN3019A

更新时间: 2024-11-10 20:23:27
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 271K
描述
1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE

TN3019A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.82Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:12 pF
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-226AE
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

TN3019A 数据手册

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