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TN3019AD74Z

更新时间： 2024-11-21 07:57:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	449K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AE, TO-226AE, 3 PIN

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TN3019AD74Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.76
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-226AE	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

TN3019AD74Z 数据手册

TN3019A

TO-226

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed for general purpose medium power

amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA and

collector voltages up to 80 V. Sourced from Process 12.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

140

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

7.0

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

1.0

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

TN3019A

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25 C

1.0

8.0

mW/ C

Thermal Resistance, Junction to Case

125

R_θ

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

R_θ

C/W

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7...10

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与TN3019AD74Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TN3019AJ18Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AE,
TN3019A-J18Z	TI	获取价格	1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
TN3020	TI	获取价格	TN3020
TN3020	CENTRAL	获取价格	Power Transistors
TN3020LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA,
TN3022	APITECH	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 700MHz Min, 1300MHz Max, SM3, SURFACE MOUNT PACKAGE-4
TN3025	APITECH	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 100MHz Min, 400MHz Max, SM3, 4 PIN
TN3026	APITECH	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 50MHz Min, 160MHz Max, SM3, 4 PIN
TN3027	APITECH	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 30MHz Min, 500MHz Max, SM3, 4 PIN
TN3028	APITECH	获取价格	Narrow Band Medium Power Amplifier, 40MHz Min, 100MHz Max, SM3, 4 PIN