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TMS29F258-300JE4

更新时间: 2024-09-20 15:54:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 531K
描述
32KX8 FLASH 5V PROM, 300ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28

TMS29F258-300JE4 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:WDIP, DIP28,.6
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.84最长访问时间:300 ns
命令用户界面:NO数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-GDIP-T28内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:512
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:WDIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE, WINDOW页面大小:64 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.907 mm
部门规模:64最大待机电流:0.003 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO类型:NOR TYPE
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

TMS29F258-300JE4 数据手册

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