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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WDIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 300 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | WDIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.907 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 15.24 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS29F258-30JQ | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 300ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
|
| TMS29F258-30JQ4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 300ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
|
| TMS29F258-30NL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 300ns, PDIP28 |
|
| TMS29F259 | TI |
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262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TMS29F259-170 | TI |
获取价格 |
262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TMS29F259-170DDL | TI |
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暂无描述 |
|
| TMS29F259-170FML | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 170ns, PQCC32 |
|
| TMS29F259-170JE | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 170ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| TMS29F259-170JE4 | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 170ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| TMS29F259-20 | TI |
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262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
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