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TMS29F259-20JL

更新时间: 2024-09-20 15:54:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 531K
描述
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32

TMS29F259-20JL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:WDIP, DIP32,.6
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92最长访问时间:200 ns
命令用户界面:NO数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-GDIP-T32内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:WDIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE, WINDOW
页面大小:64 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.907 mm最大待机电流:0.003 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO类型:NOR TYPE
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

TMS29F259-20JL 数据手册

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