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TMS29F259-30DDL

更新时间: 2024-11-08 15:54:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 531K
描述
32KX8 FLASH 5V PROM, 300ns, PDSO32

TMS29F259-30DDL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP1, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92最长访问时间:300 ns
命令用户界面:NO数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G32长度:18.415 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小:64 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.003 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.015 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:8 mm
Base Number Matches:1

TMS29F259-30DDL 数据手册

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