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TMS29F400B-90BDBJL PDF预览

TMS29F400B-90BDBJL

更新时间： 2024-09-20 15:54:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
51页 664K
描述
512KX8 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO44

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TMS29F400B-90BDBJL 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SOP, SOP44,.63
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.85
最长访问时间：90 ns备用内存宽度：16
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：28.2 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,7端子数量：44
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP44,.63
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：2.63 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：MOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：13.3 mm
Base Number Matches：1

TMS29F400B-90BDBJL 数据手册

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TMS29F400T, TMS29F400B  
524288 BY 8-BIT/262144 BY 16-BIT  
FLASH MEMORIES  
SMJS843A – MAY 1997 – REVISED SEPTEMBER 1997  
Single Power Supply Supports 5 V 10%  
Read/Write Operation  
Erase Suspend/Resume  
– Supports Reading Data From, or  
Programming Data to, a Sector Not  
Being Erased  
Organization . . . 524288 By 8 Bits  
262144 By 16 Bits  
Hardware-Reset Pin Initializes the  
Internal-State Machine to the Read  
Operation  
Array-Blocking Architecture  
– One 16K-Byte/One 8K-Word Boot Sector  
– Two 8K-Byte/4K-Word Parameter Sectors  
– One 32K-Byte/16K-Word Sector  
– Seven 64K-Byte/32K-Word Sectors  
– Any Combination of Sectors Can Be  
Erased. Supports Full-Chip Erase  
– Any Combination of Sectors Can Be  
Marked as Read-Only  
Package Options  
– 44-Pin Plastic Small-Outline Package  
(PSOP) (DBJ Suffix)  
– 48-Pin Thin Small-Outline Package  
(TSOP) (DCD Suffix)  
Detection Of Program/Erase Operation  
– Data Polling and Toggle Bit Feature of  
Program/Erase Cycle Completion  
Boot-Code Sector Architecture  
– T = Top Sector  
– B = Bottom Sector  
– Hardware Method for Detection of  
Program/Erase Cycle Completion  
Sector Protection  
Through Ready/Busy (RY/BY) Output Pin  
– Hardware Protection Method That  
Disables Any Combination of Sectors  
From Write or Erase Operations Using  
Standard Programming Equipment  
High-Speed Data Access at 5-V V  
at Three Temperature Ranges  
10%  
CC  
– 80 ns  
– 90 ns  
– 100 ns  
– 120 ns  
Commercial . . . 0°C to 70°C  
Commercial . . . 0°C to 70°C  
Extended . . . –40°C to 85°C  
Automotive . . . –40°C to 125°C  
Embedded Program/Erase Algorithms  
– Automatically Pre-Programs and Erases  
Any Sector  
– Automatically Programs and Verifies the  
Program Data at Specified Address  
JEDEC Standards  
PIN NOMENCLATURE  
– Compatible With JEDEC Byte Pinouts  
– Compatible With JEDEC EEPROM  
Command Set  
A[0:17]  
BYTE  
Address Inputs  
Byte/Word Enable  
Data In/Data out  
DQ[0:14]  
Fully Automated On-Chip Erase and  
Program Operations  
DQ15/A  
Data In/Out (Word-Wide Mode)  
Low-Order Address (Byte-Wide Mode)  
Chip Enable  
–1  
100 000 Program/Erase Cycles  
CE  
OE  
Output Enable  
Low Power Dissipation  
NC  
No Internal Connection  
Reset/Deep Power Down  
Ready/Busy Output  
Power Supply  
– 40-mA Typical Active Read for Byte Mode  
– 50-mA Typical Active Read for Word  
Mode  
– 60-mA Typical Program/Erase Current  
– Less Than 100-µA Standby Current  
– 5 µA in Deep Power-Down Mode  
RESET  
RY/BY  
V
V
CC  
Ground  
SS  
WE  
Write Enable  
All Inputs/Outputs TTL-Compatible  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 1997, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCT PREVIEW information concerns products in the formative or  
design phase of development. Characteristic data and other  
specifications are design goals. Texas Instruments reserves the right to  
change or discontinue these products without notice.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...51

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与TMS29F400B-90BDBJL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TMS29F400B-90BDCDL TI

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 		512KX8 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO48
TMS29F400B-90CDBJE TI

获取价格

 		IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,SOP,44PIN,PLASTIC
TMS29F400B-90CDCDE TI

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
TMS29F400B-90CDCDL TI

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 		512KX8 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO48
TMS29F400B-90CDCDQ TI

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
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 		524288 BY 8-BIT/262144 BY 16-BIT FLASH MEMORIES
TMS29F400T-100BDBJE TI

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 		512KX8 FLASH 5V PROM, 100ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
TMS29F400T-100BDBJL TI

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 		512KX8 FLASH 5V PROM, 100ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
TMS29F400T-100BDCDL TI

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 		512KX8 FLASH 5V PROM, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP-48
TMS29F400T-100CDBJE TI

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 		512KX8 FLASH 5V PROM, 100ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44

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