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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.6 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 200 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | 长度： | 41.4 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 页面大小： | 64 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS29F259-20DDL | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDSO32 |
|
| TMS29F259-20JL | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| TMS29F259-20JL4 | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| TMS29F259-20JQ | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| TMS29F259-20JQ4 | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| TMS29F259-20NL | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDIP32 |
|
| TMS29F259-25 | TI |
获取价格 |
262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TMS29F259-250 | TI |
获取价格 |
262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TMS29F259-250FML | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 250ns, PQCC32 |
|
| TMS29F259-250JE | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 250ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
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