是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSOP1, TSSOP32,.8,20 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 200 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 长度: | 18.415 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.003 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS29F259-20JL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 | |
TMS29F259-20JL4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 | |
TMS29F259-20JQ | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 | |
TMS29F259-20JQ4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 | |
TMS29F259-20NL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDIP32 | |
TMS29F259-25 | TI |
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262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES | |
TMS29F259-250 | TI |
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262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES | |
TMS29F259-250FML | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 250ns, PQCC32 | |
TMS29F259-250JE | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 250ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 | |
TMS29F259-250JE4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 250ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |