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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | WDIP, DIP32,.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 200 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T32 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 页面大小： | 64 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.907 mm | 最大待机电流： | 0.003 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS29F259-200JL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
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| TMS29F259-200JL4 | TI |
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暂无描述 |
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| TMS29F259-200JQ4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
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| TMS29F259-200NL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDIP32 |
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| TMS29F259-20DDL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDSO32 |
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| TMS29F259-20JL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
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| TMS29F259-20JL4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
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| TMS29F259-20JQ | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
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| TMS29F259-20JQ4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
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| TMS29F259-20NL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDIP32 |
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