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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | 3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30 | 针数： | 30 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.6 |
| 访问模式： | PAGE | 最长访问时间： | 200 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XSMA-T30 | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | DRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 30 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装等效代码： | SIP30,.2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 256 |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TM4164FM9-12 | TI |
获取价格 |
TM4164FM9-12 |
|
| TM4164FM9-12L | TI |
获取价格 |
64KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30 |
|
| TM4164FM9-20 | TI |
获取价格 |
TM4164FM9-20 |
|
| TM4164FM9-20L | TI |
获取价格 |
64KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30 |
|
| TM4164FM9-20L | ROCHESTER |
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DRAM Module, 64KX9, 200ns, NMOS, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30 |
|
| TM4172 | SPECTRUM |
获取价格 |
RF AMPLIFIER |
|
| TM4179 | SPECTRUM |
获取价格 |
RF AMPLIFIER |
|
| TM4256EC4-12L | TI |
获取价格 |
256KX4 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, SIMM-22 |
|
| TM4256EL9-10L | ROCHESTER |
获取价格 |
DRAM Module, 256KX9, 100ns, NMOS, SIMM-30 |
|
| TM4256EL9-15L | TI |
获取价格 |
256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, SIMM-30 |
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