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TM4256GU8-20L

更新时间： 2024-11-20 21:08:39

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	544K
描述
256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30

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TM4256GU8-20L 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30	针数：	30
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.74
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	200 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XSMA-N30	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	DRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	30	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SIM30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	256
座面最大高度：	16.51 mm	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	NMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TM4256GV8-12L	TI	获取价格	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30
TM4256GV8-20L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module, 256KX8, 200ns, NMOS, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30
TM4256GV9-12	TI	获取价格	TM4256GV9-12
TM4256GV9-15	TI	获取价格	TM4256GV9-15
TM4256GV9-15L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module, 256KX9, 150ns, NMOS, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30
TM4256GV9-20L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module, 256KX9, 200ns, NMOS, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30
TM4256HE4-10L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module
TM4256HE4-12L	TI	获取价格	512KX4 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, 2.400 X 0.450 INCH, SIMM-22
TM4256HE4-12L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module, 512KX4, 120ns, NMOS, 2.400 X 0.450 INCH, SIMM-22
TM4256HE4-20	TI	获取价格	TM4256HE4-20