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TM4257GU9-15L

更新时间: 2024-11-24 15:54:39
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德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 723K
描述
256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, 3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30

TM4257GU9-15L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SIM30针数:30
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:NIBBLE
最长访问时间:150 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XSMA-N30
内存密度:2359296 bit内存集成电路类型:DRAM MODULE
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SIMM封装等效代码:SIM30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:256座面最大高度:16.51 mm
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:2.54 mm端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

TM4257GU9-15L 数据手册

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